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66纳米良率不顺 海力士传出1Gb DDR2报废论

  DRAM市场再度传出工艺转换不顺遂的消息!根据业界透露,韩国半导体大厂海力士(Hynix)2007年第4季度导入66纳米工艺,由于良率持续不顺,近期有3,000万颗的1Gb容量DDR2传出报废,对海力士产出影响约10%;下游业者表示,此事影响以合约客户为主,也因此近期尔必达(Elpida)和三星电子(Samsung)陆续表示要调涨DRAM合约价,但在现货价格方面,目前下游厂库存量过高,现货价格要涨有难度。

  海力士2007年第4季度开始大量导入66纳米工艺,然良率一直未达既定目标,近期在良率不顺的情况下,传出有将近3,000万颗的1Gb容量DDR2芯片产生报废,占单月总产出10%之多;此外,海力士将在下半年导入54纳米工艺,业界普遍对于海力士的54纳米工艺抱以较大期待。

  日前尔必达和三星电子纷纷公开表示,有意要调涨DRAM价格,低迷好久的市场气氛逐渐受到鼓舞,其中合约市场在PCOEM客户的提前备货下,价格有机会小幅上调,算是久旱逢甘霖;据了解,海力士近期承诺交货给合约客户的量,并无法全数满足,因此下游厂推测,尔必达和三星此时初来喊话,是其来有自。

  下游厂分析,过去工艺转换不顺的问题一出现,现货市场的价格马上反映,但这次却是静悄悄的,主要原因在于,下游厂现在手上是库存满满,大家在年初都不断压宝DRAM会涨价,以开始备库存,因此这次没有人愿意进场抬轿。另一方面,也反映现在市场上,DRAM供过于求问题的严重性。

  海力士将于下半年导入54纳米工艺,正式进入50纳米工艺世代,目前各界对于海力士54纳米工艺的实力,也都寄予厚望,认为产品的结构相当具成本竞争力。

  此外,海力士的策略联盟伙伴茂德,在洽谈下一代工艺技术上,最大的目标也就是能够取得海力士54纳米工艺技术授权,原本海力士要以66纳米技术来和茂德谈合作条件,外界皆认为不符合成本效应,因此茂德一旦付钱技转66纳米技术到手,很快就要面临退役问题,由54纳米工艺接手,因此直接洽谈54纳米工艺,是最好的方式。

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