硅光电池是把光能转换成电能的器件。由于硅光电池的主要材料为硅单晶，所以叫硅光电池。硅光电池的结构如图135所示，它是由一个大面积的PN结构成，在N型硅片上制得极薄的P型硅片层，再在PN结的上、下两面各引出一个电极，即图中的背电极与上电极引线，并在表面涂上抗反射膜，以确保光的转换作用。图中的栅线是为了提高硅光电池的输出功率而加的，但也有的硅光电池没有栅线。
当硅光电池受到光的照射时，由于光子能量的作用，使硅原子中的电子成为自由电子，电子原来的位置就成为空穴，又因为PN结的结电场作用，电子被拉向N区，空穴被拉向P区，于是在P区和N区就积累了大量的空穴和电子，于是在p区和N区两端产生了电动势，这就是光电效应的基本原理。当硅光电池接有负载时，便有电流流过负载。
