松下电器产业面向锂离子充电电池保护电路，开发出了耐压30V的功率MOS FET“MTMF8233”和耐压20V的“MTM78E2B”。通过优化MOS FET阱沟道部分的杂质浓度，提高了对电池外部端子的短路以及充电适配器连接不当时产生的过电流的雪崩耐量。雪崩电流，MTMF8233为130A，MTM78E2B为16A。最大额定电流分别为20A、4.0A，电力损失为1.0W、0.7W。设想配备于笔记本电脑及手机。
MTMF8233的导通电阻为1.9mΩ（Vgs=10V时）。与现有产品相比，导通电阻降低了37％。原因是使用了0.25μm工艺并采用了新开发的沟道结构。封装采用6.0mm×5.0mm×0.95mm的SO8。
MTM78E2B在2.1mm×2.0mm×0.7mm的WSMini8封装中封入了2个n通道型MOSFET。这样，封装面积可比原产品减小一半。导通电阻为22mΩ（Vgs=4.0V时）。
两产品均将于2008年3月底开始样品供货。
