总投资金额25亿美元的英特尔大连厂F68去年动土后，已获美国政府批准可采用65奈米制程生产，英特尔在大陆先进制程快马加鞭，恐冲击英特尔在台积电与后段封测的日月光下单。
英特尔大连厂材料部门经理布莱恩（Brian Banser）19日受大连市政府邀请，一起前出席上海半导体设备暨材料展上表示，大连厂去年动土后，预计2010年投产，英特尔过去会将芯片组中的南桥芯片委由台积电代工、日月光承接封装，业者认为，英特尔在大陆也有自己的封测厂，一旦65奈米以上的芯片组在大连制造与自行封测，恐冲击对台积电、日月光下单。
针对英特尔去大陆建厂，台积电董事长张忠谋曾表示，英特尔在大陆设厂，未来可能会推进到45奈米先进制程，届时大陆不需透过台湾也可取得最先进的技术，未来台湾半导体厂在大陆的晶圆厂制程技术，将明显落后竞争同业。
