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Vishay 推出新系列半桥绝缘栅双极型晶体管 (IGBT)

  日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布推出采用业界标准 Int-A-Pak 封装的新系列半桥绝缘栅双极型晶体管 (IGBT)。该系列由八个 600V 及 1200V 器件组成,这些器件采用多种技术,可在标准及超快速度下实现高开关工作频率。

  日前推出的这八款新器件采用可满足各种应用需求的三种不同 IGBT 技术。GA100TS60SFPbF 和GA200HS60S1PbF采用标准穿通 (PT) IGBT 技术,而GA200TS60UPbF、GA75TS120UPbF 及 GA100TS120UPbF器件采用可实现更紧参数分布及高效率的第 4 代技术。GB100TS60NPbF、GB150TS60NPbF 及GB200TS60NPbF 模块采用第 5 代非穿通 (NPT) 技术,可实现 10µs 短路功能的额外优势。

  其中GA100TS60SFPbF 和GA200HS60S1PbF 是专为高达 1kHz 硬开关工作频率而进行优化设计的标准速度器件;其他六个 IGBT 是与用于桥配置的 HEXFRED® 超软恢复反并联二极管共同封装的超快速模块,这些超快速器件可在硬开关中实现 8kHz~60kHz 的高工作频率,在共振模式下可实现 200kHz 以上的工作频率。

  Vishay 此次推出的全新 IGBT 系列具有 75A~200A 的高额定电流及低功耗,该系列器件专为高频工业焊接、UPS、SMPS、太阳能转换器及电动机驱动应用中的隔离与非隔离转换器、开关、逆变器及斩波器而进行了优化。特别在输出逆变器 TIG 焊机应用中,这些 IGBT在额定电流时提供了当前市场上“S”系列模块中最低的 Vce(on) 。

  上述全新 IGBT 系列器件均采用无铅 (Pb)化工艺,可轻松地直接安装到散热片上。这些器件具有低 EMI,可减少缓冲,并可提供超低的结到外壳热器件规格表:

  P/N 速度  技术  电压  IC  VCE(ON) 典型.
  GA100TS60SFPbF 标准 第 4 代 PT 600 V 100 A 1.39 V
  GA200HS60S1PbF 标准 第 4 代 PT 600 V 200 A 1.13 V
  GA200TS60UPbF 超快速 第 4 代 PT 600 V 200 A 1.74 V
  GA75TS120UPbF 超快速 第 4 代 PT 1200 V 75 A 2.5 V
  GA100TS120UPbF 超快速 第 4 代 PT 1200 V 100 A 2.25 V
  GB100TS60NPbF 超快速 第 5 代 NPT 600 V 100 A 2.6 V
  GB150TS60NPbF 超快速 第 5 代 NPT 600 V 150 A 2.64 V
  GB200TS60NPbF 超快速 第 5 代 NPT 600 V 200 A 2.6 V

  目前,这些新型 IGBT 模块的样品及量产批量已可提供,大宗订单的供货周期为 8 周。

  VISHAY简介

  Vishay Intertechnology, Inc. 是在 NYSE (VSH) 上市的“财富 1,000 强企业”,是世界上分立半导体(二极管、整流器、晶体管、光电子产品及某些精选 IC)和无源电子元件(电阻、电容器、电感器、传感器及转换器)的最大制造商之一。这些元件几乎用于工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空及医疗市场的各种类型的电子设备中。其产品创新、成功的收购战略以及提供“一站式”服务的能力已使 Vishay 成为了全球业界领先者。

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