新型EUV光源诞生 下一代光刻技术发展更进一步

　　一种新型X射线有望为半导体产业持续向小尺寸发展带来希望。基于该光源制成的光刻设备由美国Colorado State University的极紫外科技研究小组研制成功。

　　该射线波长在18.9至13.9纳米之间，足以应用于极紫外（EUV）光刻技术，预计这种光刻技术将在2011年左右应用于下一代集成电路制造技术中。