美国IBM和美国罗门哈斯（Rohm and Haas）将共同开发面向32～22nm工艺LSI的CMP（化学机械研磨）技术。主要用于32～22nm工艺下的Cu/低介电率（low-k）绝缘膜的平坦化所需衬垫（Pad）、浆液(Slurry)及调节器(Conditioner)间的相互控制。
此次共同开发将在以下地点进行：IBM的Yorktown Heights研发设施、该公司主导的美国Albany NanoTech项目的基地--UAlbany NanoCollege、以及位于特拉华（Delaware）州Newark和亚里桑那（Arizona）州Phoenix的罗门哈斯研发设施。
IBM和罗门哈斯还将进行面向32nm以下的离子注入技术共同开发。为此罗门哈斯表示，将在马萨诸塞州(Massachusetts)Marlborough的该公司尖端技术中心导入高开口数（NA）的液浸曝光设备。
