去年传的沸沸扬扬的台积电进军NAND闪存制造市场消息，终于在日前获得证实！美国闪存大厂SanDisk于二月底分析师论坛（AnalystDay）中，指出其采用3D架构的单次可编程（OneTimeProgrammable，OTP）NAND芯片，已完成台积电80nm认证，双方也已就45nm制程进行研发合作。
台积电跨足NAND闪存制造消息，早已不是新鲜事，但是自从此一消息开始在市场上流传，市场多将焦点锁定在已宣布的Spansion合作案上，尤其去年飞索半导体主管也多次表示，与台积电间的合作将延伸至40nm，也将委由台积电代工NAND规格的65nmORNAND芯片，也让市场以为台积电抢进NAND代工市场的策略，只是单纯为Spansion代工。
不过，美商SanDisk在二月底的分析师论坛中，针对未来NAND规格及技术发展趋势议题进行讨论时，SanDisk除了表示将投入更多资金在3D制程的NAND芯片开发外，也宣布其3D架构OTP芯片已完成台积电80nm认证，次世代45nm制程也将合作开发。台积电多次表示闪存市场会NOR及NAND均有所布局的说法，总算获得证实。
SanDisk于2005年10月宣布以2亿3千800万美元价格并购Matrix半导体，取得3D架构的OTP芯片技术，核心是采用多层的反熔丝（antifuse）架构的一次写入式唯独内存（ROM）。SanDisk利用这项3D架构推出了OTP内存芯片，设计上与NAND完全兼容，非常适合快速成长与商机庞大的消费性电子产品市场，例如影片、音乐、游戏等，已有许多数字内容与嵌入式储存（EmbeddedStorage）业者采用，且因为这颗芯片已被市场认为将取代传统的罩幕式内存（MaskROM），市场估目前月出货量已达数百万颗。
虽然内存占台积电营收比重仍不高，今年全年比重仍低于10％，但是包括SanDisk、Spansion等客户，采用制程已达65nm及45nm米世代，每批次下单量也都达万片12寸晶圆规模，所以仍是台积电今年重视的产品线之一。业内人士指出，今年台积电大砍资本支出，营收要达到15％至20％的年增率目标的确充满挑战，但是在整个晶圆代工市场产能仍过剩的压力下，内存确实也成为台积电在淡季期间填补产能的最佳秘密武器。
