IBM将展示30纳米微芯片

据外电报道，蓝色巨人IBM日前表示，其研究人员已经在技术上取得突破，可以把硅芯片上的电路线宽缩小到30纳米以下。本周一，在圣何塞举行的一次光刻会议上，一些科学家称他们已经能够把电路线宽降到29.9纳米。这比人的头发细3000倍，是目前芯片业中主流90纳米电路线宽的三分之一。　　芯片制造商们一直努力寻求减小芯片部件体积，以便在硅片上配置更多的部件，从而延续为期40年之久的摩尔定律。摩尔定律预计，每隔十八个月，一块芯片上的晶体管数量就会增加一倍。
　　芯片业内的目标之一就是要降低电路线宽，从90纳米到65纳米再到45纳米，然后再向32纳米努力。业界普遍认为32纳米是现有光刻技术的极限。然而，IBM阿尔马登研究中心及其硅谷合作伙伴JSR Micro公司称，它们能够利用新的沉浸技术扩展目前的光刻技术。
　　IBM阿尔马登研究中心光刻材料经理Bob Allen说:“我们的目标是尽我们最大努力推动光刻技术的发展。业界只有在不得以的情况下，才会采用成本较高的其他技术。目前我们所取得的成就有力地证明，业界在从根本上改变芯片生产技术之前，至少还有七年的时间。”