台湾地区政府为协助台湾DRAM厂成为全球内存产业霸主，数年前便给予台系DRAM厂各项优惠措施，助其兴建12寸晶圆厂降低生产成本。而近来为使台系DRAM厂于先进内存技术上取得进入门坎，计划投资上亿元参与台系DRAM厂所共同组成的相变化非挥发性内存(PCM)联盟，而这也是全球内存产业中，首度有政府势力介入协助厂商研发下世代内存案例。
数年前政府提出两兆双星产业，而当中的一兆便是半导体产业，而半导体产业中又以内存产业占整体半导体产值相当大部分，政府也不断替台系DRAM厂设想，尽力协助大量兴建12寸厂，让台系DRAM厂有效降低生产成本，提高于内存产业中竞争优势。最近，政府再度出招，全力扶持台湾DRAM厂在下世代内存产品中，领先取得进入门票。
据了解，3年前台系DRAM厂与工研院共组联盟，希望共同完全PCM产品研发，至今台系DRAM厂已出资约1.6亿元，于工研院内部8寸试验生产在线，成功研发出4Mb的PCM产品，且该颗PCM商品无论是在写入电流上、耗电上、产品体积上与写入速度上，与国际半导体大厂相较可说不遑多让。
而到2008年6月该联盟届满3年后，政府为能有效扶持台湾DRAM厂在下世代PCM内存市场站稳脚步，已计划投入上亿元资金加入此一联盟，而这也是全球各大发展PCM族群中，首度有政府势力加入，该联盟计划主持人工研院纳米电子技术研发组长蔡铭进博士表示，目前看来政府将与台系DRAM厂出相同资金，但进一步细节仍需相关人士讨论后再行决议。
不过他进一步表示，目前进入PCM联盟进入第二阶段后，原本该联盟内的DRAM厂均表示相当意愿参与此研发联盟，且该联盟认为未来2~3年内，将推出4Mb的PCM产品进入送样阶段，而这样的进度与国际半导体大厂相较可说一点也不逊色。
过去2年该联盟光是专利便已申请高达175件，这在半导体业界中已算是相当快速的，而就单纯投资报酬率来看，参与这联盟的台系DRAM厂应该会认为是相当值得的。
