SPIE先进光刻会议上传来消息，日本Canon开发的深紫外光刻设备已经发货，用于研发而非生产。
Canon公司的SFET设备(small-fieldexposuretool)数值孔径0.3，视场尺寸0.2-x0.6-mm。据日本芯片研发联盟Selete介绍，Canon深紫外光刻设备通过偶极子照明（dipoleillumination）可得到24nm的成像图样。
另外，Selete得到了Nikon首款EUV设备的第一张图像，Selete称，Nikon的EUV设备光刻最小线宽可达30nm以下。
在大会上，Canon还将发表一篇论文，关于其首款193nm沉浸式光刻设备FPA-7000AS7，预计在今年发货。
