今年令人激动的技术终于由intel得以宣布最新进度，intel方面表示，用来替代当前NAND闪存技术的全新PCM(phase change memory，相位变换存储)芯片即将进入全面的量产化阶段，并且intel公司目前已经可以提供PCM闪存芯片的样品。
Sandisk刚刚发布有别于当前标准NAND flash闪存芯片存储密度的新技术，不过intel方面则在接下来没有多久的时间内发布消息表明，PCM闪存芯片的样品已经开始出货给特定的合作客户，首批出货样品采用90纳米制程技术生产，产品代号Alverstone，采用2bit核心存储单元的多级封装技术制造，单体容量目前为256M bit。
PCM最新发布的测试样品制作技术来自于刚刚加入intel和意法半导体(ST microelectronics)的NUmonyx，PCM闪存技术采用一种非常类似于CD和DVD的数据存储技术，intel早在2001年左右就已经开始进行这项工作的开发，早期代号为ovonics，intel采用具有硫属化物玻璃特性的材料通过加热方式针对材料特性在晶体和无规则穿透组织间进行切换，这种切换动作可以产生特殊电阻，并激发潜在的数据存储技术，和闪存一样，PCM技术也是数据存储非易失性的，这也就意味着在断电之后数据存储动作仍然有效。
对于PCM技术而言，最重要的一项开发特性就是材料的热敏性，根据intel方面的测试，这种材质变换技术可以达到10万次的读写循环操作而不会出现任何问题。
Nunonyx技术设计部总裁Ed Doller表示，PCM对于非易失性存储技术来是，是发展经过40年之后令人额外关注的新技术，对于今天的存储技术存在重大意义，而intel和意法半导体则将这项实用性的新技术已经带到客户手中。
Numonyx将会致力于供应全系列针对不同客户和工业设备的PCM完整存储解决方案，包括当前流行的移动电话，MP3播放器，数码相机，电脑以及其他高科技设备，同时intel表示这项新技术也会为该公司在盈利方面建立卓越表现机会。
intel是全球第一家制造flash闪存芯片的公司，而在1989年NOR闪存设备容量仅为256KB，并在早期用来存储操作系统，其大小尺寸要和一个鞋盒子相当，而上个月，intel公司则在切实考虑完全舍弃陈旧而无利润的闪存业务。
