茂德近日在法说会上发表研发成果，宣布成功推出目前市场上最热门的NAND Flash快闪记忆体，以及CMOS影像感测器等技术，有助该公司在DRAM市况不佳时，有其他热门产品的制造生产能力，以降低亏损压力，其中自行研发的NAND Flash技术，已有样品推出，今年下半年将开始试产，为国内DRAM厂第一家自行开发的公司，今年将正式跨入NAND Flash制造领域，引起市场注意。
为因应DRAM市况不佳，茂德预计在农历春节期间进行厂房岁修，不过据了解，由于该公司在去年DRAM景气低迷时，积极开发新技术，陆续开发出多项利基型记忆体、CMOS感测元件及NAND Flash等技术，因此，将利用岁修期间，全力冲刺新技术的试车，并不全然是将厂房停工的岁修，以因应今年在其他领域的成长布局。
茂德表示，已有1Gb与4Gb的NAND Flash样品推出，其中1Gb预计下半年试产，第四季则将以70奈米生产4Gb，在技术的研发已有所突破，并领先其他同业。茂德也成功开发出CMOS影像感测元件的产品。
