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用于GPS的高增益低噪声的两级放大器GaAs MMIC NJG1130KA1开始样品供货

  新日本无线完成开发最适用于配备GPS(Global Positioning System 全球定位系统)功能的便携式终端的高增益低噪声放大器(High gain / Low Noise Amplifier) GaAs MMIC--NJG1130KA1,并开始样品供货。
 
  近年来,GPS功能已逐渐成为手机及PDA(Personal Digital Assistant 个人手持数字设备)等便携式终端的标准配置。 上述产品所配备的低噪声放大器(Low Noise Amplifier)必须具备低消耗电流、高增益以及体积小巧等特点。NJG1130KA1是适用于GPS的高增益低噪声放大器GaAs MMIC,可满足上述市场要求。

  NJG1130KA1采用了两级放大结构,从而单体的增益可达到29.0dB(typ.)并缩小了产品体积。此外,还采用配备了ESD保护元件的P-HEMT(Pseudomorphic hign electron mobility transistor)工艺,缩小内部元件之间的间隔,实现了芯片的小型化。小型封装FLP-A1(1.6x1.6x0.55mm)有助于缩小电路板的体积。
此外,本产品采用P-HEMT工艺,实现了低消耗电流(5.0mA)和低噪声(0.65dB)。

  开发产品一览

  产品名称 NJG1130KA1
  功能 用于GPS的高增益低噪声双步增幅器GaAs MMIC
  应用 手机、PND(Personal Navigation Device 个人导航系统)及带GPS功能的便携式的汽车导航系统
  外观 FLP-A1
  
  产品主要功能及特点
  工作电压          +2.85V (typ.)
  低消耗电流        5.0mA (typ.)
  高增益           29.0dB(typ.) @f = 1.575GHz
  低噪声          0.65dB(typ.) @f = 1.575GHz
  高输出P-1dB         +11.0dBm(typ.) @f = 1.575GHz
  高输出IP3         +14.0dBm(typ.) @f = 1.575GHz+1.5751GHz, Pin=  -35dBm
  内置ESD保护元件
  小型封装       FLP-A1:1.6x1.6x0.55mm
  生产计划/样品价格
  本公司将计划于2007年7月开始NJG1130KA1的样品供货,8月底正式投入生产,生  产规模为月产量50万只。样品价格约为70日元。



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