Infineon推出基于巨磁电阻效应的iGMR传感器

　　Infineon已经开始将这一效应应用于测量汽车转向角度，并成为世界上第一个开始大批量生产集成巨磁阻抗传感器（iGMR）的半导体供应商。Infineon具有非凡精度的可测量0°到360°的传感器，集成了两个GMR全桥，一个温度传感器，两个A/D转换器，几个稳压器，额外的滤波器和用于持续监测这些器件运行的内部机制。

　　Infineon的传感器芯片TLE 5010提供了两个数字角度分量：一个正弦函数和一个余弦函数。通过一个SPI接口将传感器连接到八位MCU可以计算一个精确的角度信号。在传感器和MCU之间传输数字型数据意味着降低了易感性干扰，而且用于补偿的集成温度传感器确保了-40 °C 到 +150 °C广泛的温度范围内具有高精确角度。

　　GMR效应是基于由多层厚度为几纳米的金属膜间磁场产生的阻抗变化的原理。简单地说，薄膜带有一个固定参考层，稳定的磁化方向（参考方向）和一个传感器层，其磁化方向跟随外部磁场，就像指南针的指针。通过一个仅仅几个原子厚度的铜层将传感器层和参考层分离开，从而产生GMR效应。这类薄膜的电抗是根据所用磁场和传感器参考层间角度变化的。Infineon成功地将这种必要精度的层集成到标准CMOS半导体生产工艺中。