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IMEC、CNSE、IBM及ASML四强联手 加速深紫外光刻(EUVL)技术生产应用

  全球领先的两大纳米电子研发中心——位于美国纽约大学的Albany纳米科技与工程学院(CNSE)及欧洲比利时微电子中心IMEC日前宣布,将就深紫外光刻(EUVL)实验展开合作,来加速产业化应用。另外,来自IBM及ASML的资深工程师也将参与其中。

  最初阶段的实验将在Albany纳米研发中心进行,以后会在CNSE及IMEC两处联合展开。研发重点集中于EUVL系统的成像能力、新材料特性以及相关设备技术。IMEC,CNSE,IBM及ASML四强联手,将进一步促进EUVL技术的发展,最终目的是证实EUVL的可行性,应用到32nm及以下节点半导体工艺制程中。

  CNSE副总裁兼首席行政长官Alain E. Kaloyeros表示,非常高兴能够与欧洲领先的研发中心IMEC合作,并联合IBM及ASML的工程师,共同研发下一代纳米电子器件制造的关键技术——EVL技术。

  IMEC执行副总裁兼首席运营官Luc Van den hove称,当CMOS工艺微缩至32nm节点以下时,深紫外光刻技术成为一种非常有前途的解决方案,但是在最终实现过程中仍面临挑战。作为领先的纳米电子研发中心,IMEC与CNSE的合作将有力推动全球半导体产业的发展。我们期待与CNSE建立稳固的合作伙伴关系,促进先进光刻技术的应用。

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