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预计2006年NAND闪存乐观增长,库存过多面临DRAM挑战

尽管市场存在轻微的供过于求现象,预计2006年NAND闪存将有很大发展,到2007年则会面临巨大挑战。 日前,据市场调研机构Gartner Dataquest乐观预测,2006年NAND闪存市场规模将达162亿美元,比2005年增长42%。出货量将比上年劲增186%,而价格预计下跌50.3%。主要的市场推动来自闪存卡、MP3播放器和USB驱动器。 Gartner Dataquest同时指出,预计2006年的头3个季度NAND闪存市场将出现轻微的供过于求,预期第三季度闪存产品价格下跌,随后第四季度出现短缺现象。 然而,由于持续供应过度、严重价格侵蚀、无法抵抗的需求成熟度以及收缩的价格弹性等因素,2007年NAND市场将面临来自DRAM市场的挑战。 据美国彭博(Bloomberg)报道,三星电子(Samsung Electronics)和Hynix Semiconductor这两家最大的DRAM制造商已经提高了DDR2的价格。其中,Hynix公司把合同价格增加了5%到10%。 报告认为,出现短缺是由于三星和Hynix等公司将生产线转而制造闪存器件,这类产品具有比DRAM更好的边际利润。报告还引用了来自台湾地区DrameXchange.com的数据,尽管2005年期间,DDR2芯片的现货价格下跌了66%,而从2006年一开始就回上升了38%。


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