中芯国际06年3月量产90nm产品 06年底尝试65nm工艺

中国的半导体代工企业——中芯国际集成电路制造（SMIC: Semiconductor Manufacturing International）将于06年3月进入90nm工艺量产体制，预计90nm工艺产品的销售额将出现在2006年第二季度(2006年4月～6月)的业绩中。这是在2006年2月7日召开的中芯国际05年第四季度(2005年10月～12月)业绩发布会上，由中芯国际社长兼CEO张汝京透露的。 　　张汝京表示，除了已经公开的德国英飞凌以外，还有数家公司计划委托中芯国际使用90nm工艺进行代工。英飞凌委托中芯国际使用90nm工艺制造的是DRAM产品，预定于06年第三季度进入量产阶段；而对于在第二季度就能带来销售额的90nm产品，张汝京并没有公开委托公司的具体名称，只是表示是从两家公司接到了逻辑LSI产品的委托制造订单。
　　张汝京还明确表示，中芯国际代工的最先端加工工艺（0.13μm以及90nm）的比例将从2005年第四季度仅有0.13μm工艺时的13%，增加到2006年第二季度导入了90nm工艺后的约20%，到2006年第三季度该比例将进一步快速飞升到30%。也就是说，除了英飞凌的DRAM产品以外，在逻辑LSI产品方面也获得了大客户订单。
　　张汝京还透露中芯国际目前正在进行65nm工艺的研发，06年末还预定使用65nm工艺量产最初客户的工程样品（Engineering Sample）。在完成工程样品的6个月后，将使用65nm工艺为第二家客户开始制造产品。