飞思卡尔已经提供了一系列12V GaAs假晶高电子迁移率晶体管 （PHEMT）产品，并计划继续开发高压GaAs PHEMT技术，推出更高功率的GaAs器件，在WiMAX系统中使用，另外也适用于2 GHz和6 GHz频段之间的其它应用。
通过提供采用射频 LDMOS和GaAs PHEMT技术的功率晶体管，飞思卡尔的射频解决方案能够真正支持任何高功率无线基础设施应用，其中LDMOS的性能高达3.8 GHz，而GaAs PHEMT的性能则高达6 GHz。
WiMAX系统采用64积分调幅（QAM） 正交频分复用（OFDM）信号。QAM OFDM信号处理向功率放大器的设计人员提出了独特挑战。回退中的射频功率晶体管线性是至关重要的，不仅体现在具有屏蔽要求的频谱形式中，也体现在具有EVM （误差向量幅度）要求的积分形式中。在本消息发布之前，硅LDMOS 技术在3.5 GHz频段上不能提供令人满意的射频功率性能表现。这就意味着合成半导体设备（如GaAs PHEMT）是设计者的唯一选择。现在，飞思卡尔的高级3.5 GHz HV7 LDMOS设备提供了WiMAX系统所需的高效、线性和EVM性能，为设计者提供了在合成半导体和硅LDMOS之间进行选择的机会。
首批3.5 GHz LDMOS设备的样品现已问世。MRF7S38075H是一个75瓦特的P1dB 射频晶体管，平均功率为42dBm （16W），满足在3.5 GHz频段运行的WiMAX设备的性能要求。此外，40W和10W的 P1dB 3.5 GHz设备也有望于2006年2月面市。这三款先进的LDMOS设备扩大了飞思卡尔现有的射频功率晶体管系列的产品阵容，面向在2.3、2.5和3.5 GHz频段运行的新兴WiMAX/WiBRO设备。
高级HV7 LDMOS设备完善了12V GaAs PHEMT设备的功能，使其能够适应3.5 GHz的 WiMAX应用，目前正在开发的新型高压GaAs设备将可在高达6 GHz的频段运行。这就使它们成为在该频率范围内运行的WiMAX和其它无线应用的理想之选。当运行电压达到20 V以上，GaAs设备能够达到高达100 W的输出功率，同时还能满足数字调制系统的严格要求。
