日美巨头联手开发纳米集成电路

日前，美国IBM公司和日本索尼公司、东芝公司宣布，将联手开发32纳米的下一代大规模集成电路，并计划在2013年投放市场，与韩国三星电子和美国英特尔公司展开竞争。 
　　据报道，日美这3家公司计划在今后5年内将公司有关研究开发人员集中到IBM公司在纽约的研究基地和工厂，研究开发32纳米大规模集成电路所必需的基础技术。目前，日本主流集成电路半导体线路为90纳米，最尖端的为65纳米。国际上许多大型半导体生产厂家正在研究开发45纳米的半导体。为了在竞争中保持优势，日美上述3家公司决定着手研究开发32纳米半导体技术。 
　　东芝在加工技术和制造能力，索尼在多样化的半导体技术和对消费者市场的深入了解，IBM在材料技术方面分别居于世界领先位置。过去5年，3家公司联合在90纳米和65纳米级别的芯片研究上取得重大进展。 
　　集成电路和存储器半导体的线路越细微，就越能使电器产品更加趋向小型化，并能提高产品性能。



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