据电子工程专辑网站报道，NEC电子日前完成开发两种线宽40nm的DRAM混载系统LSI制程技术，使用该制程可以生产最大可整合256Mb DRAM的系统LSI。此次NEC电子推出一种低功耗的UX8GD制程，可使逻辑部份的处理速度最快达800MHz；另一种为低漏电流的UX8LD制程，它的功耗约为内嵌同等容量SRAM的1/3左右。
UX8GD和UX8LD是在线宽从55nm缩小至40nm的CMOS制程技术的基础上，结合NEC电子原有的eDRAM混载制程技术而成，将DRAM的单元面积缩小至0.06um2，约为55nm制程产品的二分之一，因此在搭载同等容量的内存时，芯片面积最大能缩小50%，进一步降低了产品成本。
新技术除了应用55nm DRAM混载LSI制程UX7LSeD中所采用的铪(hafnium)闸极绝缘膜，还使用了镍硅化物(nickel-silicide)闸电极、做为DRAM电容器使用的锆氧化物(zirconium-oxide)高介电率(High-k)绝缘膜技术等，因此能够降低通道部份的杂质浓度，同时减少寄生阻抗，有利于减少漏极与底板之间的漏电流，并且长时间保持数据减少晶体管性能偏差，实现逻辑内存部份高速化等，有助于用户轻松设计高性能设备。
此项技术的运用，有助于用户在设计数字相机、游戏机等对低功耗、小型化、薄型化要求较高的数字AV设备以及手持设备时，能更轻松地增加功能。
NEC电子从0.18微米产品时代就开始生产DRAM混载LSI产品。2004年又针对游戏机、通讯设备等应用开始量产90nm制程的DRAM混载LSI产品。2007年秋季NEC电子推出使用55nm制程开发的DRAM混载LSI样品，并计划于2008年开始量产。新技术不仅在原有55nm制程的基础上实现了低耗电，并透过将线宽减少至40nm，进行最佳化处理，同时具备了提高芯片整合度和降低功耗的双重优势。
