旺宏电子股份有限公司近日召开董事会，会中通过授权旺宏电子经营团队与德国奇梦达(Qimonda)公司签订技术授权与共同开发合约，以发展闪存(Flash)先进制程技术，正式签约将于近期内完成。
旺宏与奇梦达这项策略联盟，主要是结合两家公司的技术特长。旺宏多年来在非挥发性内存(non-volatile memory)上已有所耕耘，且近年业绩良好，在制程及组件等研发上也有成绩，其中包括旺宏独立研发的BE-SONOS技术等等。奇梦达则具有雄厚的研发实力，且在300mm量产及移转技术至联盟伙伴具有成效，尤其在非挥发性内存方面的发展也多有着墨。通过这次合作，旺宏与奇梦达将共同携手研发先驱闪存技术。
旺宏与奇梦达在非挥发性内存领域各有所长，长期以来已多有合作。这次的策略联盟将促使双方在技术及产品研发上加速成长，以提供契合市场需求且具竞争力的内存解决方案，有助两家公司的获利及长期发展。
背景资料：
2007年5月28日，旺宏宣布将与奇梦达合作进军新世代非挥发性内存（NAND Flash）领域，双方正协调讨论合作细节。
旺宏与奇梦达若完成签约，旺宏将成为继力晶（与瑞萨合作）之后，第二家找到国际大厂合作进军NAND产业的本土内存业者。南科也有意切入NAND芯片制造，外界揣测，旺宏、力晶和奇梦达可能合作，力抗三星、海力士、东芝等大厂。但未获三方证实。
业界认为，既有的NAND芯片技术在45纳米世代将遭遇物理极限瓶颈，而目前旺宏独有的“ESONOS”是业界认为最可行的新世代NAND芯片技术。由于旺宏垄断此技术及专利，往后除奇梦达外，任何业者想用此技术生产NAND芯片，都透过旺宏授权，并给予实际销售总额约3%的权利金。
据了解，奇梦达与旺宏的合作机制，由旺宏主导技术，奇梦达提供其它周边技术与产能服务支持。
