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东营科达研发出具有国际先进水平的功率半导体器件

  山东省东营市科达集团研发出首批功率半导体器件,各项参数均达到并部分超过国际同类产品的水平。

  该批产品包括绝缘栅双极晶体管(IGBT)、场效应管(MOSFET)和高压驱动集成电路(HVIC)三大类。该产品的试产成功,打破了国外同类产品在国内市场的垄断局面,填补了中国在该产品领域的空白。

  功率半导体器件在工业、民用领域都具有广泛的用途,产品广泛使用在电力控制、电机驱动、开关电源|稳压器、通信设备、手机、笔记本电脑、充电器、电源适配器等电子电气设备中。该项目设计年产功率半导体器件6.1亿只,销售额20.7亿元,达产后将占国内市场总量的1.8%。

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