回顾下半年DRAM价格走势，可说是惨不忍睹，各大DRAM厂烧钱苦撑，无奈见不着价格有回暖转强的迹象；尽管近期现货市场价格持续反复打底，但法人认为，在市场真正需求尚未浮现前，DRAM现货价难有翻身之日，预估明年在各大DRAM厂推进至70奈米制程下，缩减资本支出效应遭抵消，明年DRAM仍是供过于求！
在Microsoft(MSFT-US；微软)大动作推出新的作业系统 Vista后，却未料见市场反应冷淡，换机需求不如预期，造成第 3季起，大量DRAM库存堆积，加上DRAM厂间技术竞争不停歇，纷纷抢盖12吋厂，近而使得12吋厂DRAM产出比重成长在今年逾 70%之多，远比去年的成长50%相比，大有落差，造成DRAM一路走跌，最低跌破1美元，远比去年底的5.5美元滑落了逾80%之多。
DRAM价格迟迟不见有所回升，即使跌破DRAM厂生产成本区间，仍见DRAM厂烧钱忍痛经营，致使DRAM厂亏损逐步扩大，今年仅有华亚科 (3474-TW下单)可勉强维持获利外，其余三家DRAM厂今年都难过好年。
正因下半年的惨淡经营，DRAM厂也纷纷计划缩减明年资本支出，延后开出新产能，以去化现有库存，改善目前供过于求的市况，包括南科 (2408-TW)明年资本支出仅有 400亿元，减少了20%，华亚科则是大砍33%，力晶 (5346-TW)也有五成的减幅，缩减资本支出以救市，已成DRAM厂共识。
不过，法人认为，在四大DRAM厂明年接续将制程推进至70奈米下，即使没有新产能开出，但制程微缩，产量增加，明年DRAM供需仍是处于供过于求；再说，目前两大国际龙头厂Samsung (005930-KR；三星)和 Hynix(000660-KR；海力士)都尚未确认明年是否有缩减资本支出的打算，仅有台系厂和Qimonda (QI-US；奇梦达)要降低欧元区产能，要挽救DRAM市况，力量孱弱。
尽管如此，法人表示，由于 Vista作业系统运算资庞大，每台PC搭载的DRAM容量需达 1Gb以上，目前多数PC搭载量已提升至1.5Gb，明年在SP1升级版本问市后，加上企业换机潮推波助澜，将可进一步刺激DRAM需求量，预估每台PC搭载的DRAM将提高到2Gb。
另外，在NAND Flash部分，DRAM厂为了分散DRAM营运风险，加上NAND Flash毛利远高于DRAM，致使DRAM厂纷纷加快NAND Flash试产；目前力晶预计明年上半年便可开始大举投片，自行开发的8Gb和4Gb均已在 12A厂以70奈米试产，茂德则是预估需待至明年下半年才会进到量产阶段。
在NAND Flash应用渐形广泛下，明年NAND Flash的主要需求仍来自于手机和PC端等应用，且明年手机展望强劲，尤其是在高阶的智能型手机部分，将可大幅增加NAND Flash需求，致使法人对于NAND Flash后况乐观于DRAM。
因此，法人认为，明年DRAM产业仍需苦苦等待黎明曙光露出，以划破黑暗期，预估南科、茂德 (5387-TW)仍难以摆脱亏损情形，但在第 2季DRAM市况逐步回温后，力晶和华亚科应可率先在第 3季转亏为盈；至于NANDFlash部分，明年则仍维持亮眼。
