IBM和东芝在本周二的时候表示，他们扩展了他们的联合开发协议，其中包括了针对下一代微处理器的集成电路的研究。
在使用32纳米工艺制造芯片方面，两家公司在各种相关技术上一直保持着合作。这些芯片将在2009年到2010年期间投放市场，预计将会比目前的45纳米芯片更具有市场冲击力。而且32纳米芯片的功耗和原来的芯片是几乎一样。
在最新的协议中，东芝已经同意加入一个包括了六个公司的IBM联盟，这一联盟致力于32纳米散装互补型（Bulk complementary）金属氧化物半导体工艺技术。CMOS是微处理器、微控制器、内存和其它领域所采用的最主要的一类集成电路。联盟的研究使用了IBM位于纽约州Yorktown 和Albany的设备。
在谈及这一合作的时候，东芝半导体公司的总裁兼首席执行官Shozo Saito表示，“这是一个很有希望的合作。”除了与IBM合作之外，东芝还计划继续自己在32纳米工艺上的研究，这是Saito在一项说明中表示的。
IBM联盟于上周宣布，他们已经开发出一种耐热制造工艺，它使得32纳米芯片的开发不需要对目前的芯片制造车间作出调整。保持现有的制造步骤和避免改变步骤所带来的庞大开支是同样重要的。
IBM的合作伙伴AMD是全球最大的芯片制造商英特尔的最主要竞争对手。英特尔同样也正在开发32纳米芯片，并且计划和IBM联盟在同期推出这一芯片。
