全球DRAM市场抢救大作战即将展开，近期包括内存厂及为国际PC大厂代工的模组厂纷表示，2008年第1季起包括戴尔(Dell)、惠普(HP)、东芝(Toshiba)等一线笔记型计算机(NB)大厂，已拟将主流规格NB DRAM模组大幅提升至4GB，此举可望为近期低迷不振的DRAM产业注入一剂强心针，由于该项规格与当前NB内部主要配备1GB相较，容量足足增加3倍，这意谓可替DRAM厂多消耗DRAM产能达3倍。
近期全球DRAM市场萎靡不振且持续恶化，尽管部分DRAM厂喊出2008年资本支出将大幅删减，但这样做法恐仍是缓不济急，真正要让DRAM产业起死回升关键，还是必须有实质市场需求出现，才有机会彻底解决DRAM市场供过于求困境，而这样的迫切性似乎已获得NB大厂呼应。内存及模组业者不约而同地表示，一线NB大厂戴尔、惠普及东芝等，已准备在2008年第1季陆续推出内部搭配4GB DRAM模组容量的主流规格NB。
内存模组厂指出，事实上，国际NB大厂愿意开始采用4GB容量DRAM模组，还是与价格脱离不了关连，就现阶段1GB DRAM模组报价来看，很可能到12月下半仅需要16美元，依照这样降价速度推算，至2008年第1季时2支2GB模组报价有机会低于60美元，若用在主流规格、单价约1,000美元NB内部，DRAM模组报价占总成本不到6％，远低于过去DRAM模组最高可占整套NB成本比重10％的上限幅度。
由于采用2GB DRAM模组占NB成本比重已在可接受范围，因此，对于绝大多数NB大厂而言，采用意愿自然大幅提高，况且国际NB大厂采用2GB DRAM模组举动，还能解决DRAM业者所面临市场需求成长缓慢的燃眉之急，让全球DRAM产业供需渐趋平衡，而不只是光靠DRAM厂本身降低资本支出动作。
台DRAM厂指出，NB大厂提高内部DRAM模组容量到4GB，相较于现在主流NB内部仅采用1GB，容量足足提高3倍之多，而就DRAM厂当前主流销售规格1Gb芯片计算，一旦NB用4GB模组，每台NB势必要采购高达32颗1Gb芯片，同样较目前每台NB仅需采购8颗1Gb芯片要多出3倍。
因此，这样大幅增加的内存消耗量对于DRAM厂而言，就算2008年全球DRAM厂产出位成长率仍与2007年相同，但受到NB厂大幅拉高采购量影响，2008年DRAM市场应不至于再度出现如同2007年般严重供过于求状况。
