据日经BP社报道，NEC发布了通过降低层间绝缘膜所有层的低介电率（low-k）从而实现连续成膜的32nm工艺用布线技术。栅绝缘膜采用可抑制Cu扩散的low-k材料。布线的有效介电常数(keff)由原来的2.9降至2.75。
采用可与SiOCH膜连续成膜的low-k膜
NEC栅绝缘膜采用的是名为“硅碳复合膜（SCC：silica-carbon composite）”的low-k材料(介电常数k值为3.1)。该材料之所以可以抑制Cu扩散，是因为含有不饱和碳化氢。其特点是可以利用等离子体共聚法（Plasma Copolymerization）与组成层间绝缘膜的SiOCH膜实现连续成膜。除可以降低成膜成本外，“还可以提高栅绝缘膜和SiOCH膜的密着性，提高布线的可靠性”（NEC元件平台研究所所长望月康则）。有效介电常数之所以得以降低，是因为SCC的介电常数比此前用于栅绝缘膜的SiCN的k值（4.9）低。
NEC曾经在“2006 IEDM”上公布了利用等离子体共聚法来实现栅绝缘膜（SiCN）之外的层连续成膜的技术。此次，包括栅绝缘膜在内的所有层实现了连续成膜。
