ATMI和IBM合作开发下一代半导体材料和制程技术

　　据Semiconductor International网站报道，ATMI与IBM签订了一项技术发展协议，将针对45nm及以下节点先进半导体材料和制程技术进行合作开发。该项合作将在ATMI在Connecticut州的总部和实验室以及IBM的Watson研究中心进行。

　　根据协议，ATMI将结合自身的半导体材料和制程经验以及IBM领先的IC设计和制造技术，双方努力合作新材料和薄膜制程，以更迅速和有效地解决先进集成电路所面临的挑战。

　　ATMI工艺解决方案执行副总裁Tod Higinbotham表示，新的材料将有效推动IC性能。在推动新一代材料和领先半导体工艺的创新与商业化方面，本次合作将给双方带来收益。我们正在积极解决具体的材料问题，这些将会影响未来半导体产业的发展。

　　IBM研究中心资深经理Ronald D. Goldblatt表示，IBM相信，制程与材料改进可以对未来半导体产业的发展做出突出的贡献。此次联合开发工作，结合各自优势，有助于带来新的材料解决方案和成功开发领先的元件应用。