ADI推出0.6μm耐高压工艺技术“iCMOS”

　　美国模拟器件公司（ADI）前开发成功了可承受电压达30V、设计规格为0.6μm的超微细半导体制造工艺该技术名为“iCMOS工艺技术”。主要用于生产面向需要承受高电压的产业设备和医疗设备等的模拟IC。

　　此前，生产可承受30V高压的模拟IC芯片，需要采用设计规格为1μm～3μm的Bipolar-CMOS技术。而采用此次的iCMOS工艺技术，与此前相比可减少耗电、减小芯片面积，还可实现高速运行等。因为具有以上优良性能，ADI计划在面向产业设备和医疗设备的模拟IC生产领域，全面推进由此前的Bipolar-CMOS技术向iCMOS工艺技术的过渡。

　　还同时宣布采用该技术生产15种产品

　　该公司在发表iCMOS工艺技术的同时，还宣布将采用该技术生产15种模拟IC产品。包括运算放大器、A-D转换器、D-A转换器、转换器和多路复用器等（本文最后的部分有介绍）。每款产品都在±5V或±15V等高电压下运行。

　　因为iCMOS工艺技术为0.6μm的微细设计规格，所以不仅可减小芯片面积、对外围电路进行集成，截止频率fT也高达1GHz。比如说，采用iCMOS技术制造的A-D转换器与同类产品相比，耗电量可减少25%～40%，成形速度也可达此前的5倍左右。

　　目前，半导体业界的技术开发出现了面向数字家电一边倒的有趣现象。不过，ADI表示：“我们一贯重视面向产业设备的耐高压模拟IC的技术开发，今后仍将继续努力”（该公司Precision Converters生产线主任Mike Britchfield）。ADI还计划根据市场需求，将iCMOS工艺技术应用到面向特定用途的半导体产品（ASSP：Application Specific Standard Product）的生产中。不过，目前还没有接受采用iCMOS工艺技术的定制IC的订货计划。

　　采用iCMOS工艺技术的新产品（部分）如下：

　　■D-A转换器IC“AD5764”
　　——输入数字信号的分解能力为16位，输出信号的电压范围为±10V。

　　■A-D转换器IC“AD7328”
　　——输入信号的分解能力为12位，量子化分解能力为12位。

　　■运算放大器“AD8661”
　　——最大可增压至16V（±8V）运行。

　　■转换器和多路复用器“ADG12xx”
　　——每个磁道容量为2pF，最大导通电阻仅为5Ω。