集邦科技(DRAMeXchange)发表最新DRAM市场研究报告指出，上周(12/3-12/10)现货市场呈现近期少见的震荡格局，DDR2 512Mb eTT颗粒价格曾一度突破0.9美元，最后收在0.79美元，跌幅2.4%；而DDR2 1Gb eTT颗粒也曾强势上涨至1.92美元，最后收在1.83美元，涨幅10.9%。另一方面，当价格跌破变动成本后，国际大厂即应进行减产，2008年的DRAM市场才能够供需平衡。
集邦科技表示，虽然市场上供货量还是以512Mb的颗粒为主，然而单只2GB的内存模块的需求殷切，相对于512Mb所组成1GB内存模块更具成本优势，不难看出1Gb颗粒已渐渐成为市场的主流规格，而从这次的价格涨幅就可隐约嗅出世代交替的意味浓厚。
在合约市场方面，12月上旬DDR2 667 1GB内存模块落在19美元附近，相较于11月下旬跌幅约10%，主要原因是圣诞假期的采购热潮将告一段落，加上12月为出货淡季，OEM厂商普遍拿货意愿不高的双重影响下，集邦科技预计12月下旬的合约价格仍会维持走低的状态。
随着上周DDR2 eTT 1Gb颗粒价格止跌回升，DRAM厂减产议题再度成为各界的焦点，集邦科技进一步指出明年度促使DRAM价格回稳甚至于反弹的几项利多因素，包括台系DRAM厂商已陆续宣布减少明年资本支出、奇梦达(Qimonda)宣布调降欧元地区的生产比例由40%降至30%、各家12寸的晶圆产能扩张趋缓与8寸晶圆厂产能不断去化，以及2008年DRAM增长率将由今年的92%下降至57%。
集邦科技指出，以市场面来分析，当价格跌破变动成本后，国际大厂就有可能率先减产。就现况而言，三星与海力士在全球DRAM市占率将近50%，所以唯有上述两家甚至于更多的国际大厂应做出减产的动作，明年的DRAM市场才有机会供需平衡，DRAM颗粒价格才会真正的止跌回升。
