DRAM测试面临产能过剩压力

虽然国内外DRAM厂的十二吋厂新产能陆续开出，但是随着DRAM厂端良率大幅扬升，DRAM价格又处于低档，基于降低单位生产成本考量，DDR2后段测试时间已见到大幅缩减现象。据设备业者指出，尔必达（Elpida）DDR2测试时间降至七百秒至八百秒间，Hynix的DDR2测试订单虽尚未释出，但测试时间初估不会太长。由于DRAM测试业者力成、泰林、联测等，去年扩产幅度较逻辑测试积极许多，现在测试时间快速滑落，产能利用率见到由紧转松的迹象，业者对上半年扩产已抱持观望态度。　　一月以来受惠于英特尔芯片组缺货压力获得纾解，DDR2市场需求量明显增加，带动现货价及合约价同步上涨，512Mb DDR2价位约落在4.3美元至4.5美元区间，但与DDR颗粒约5.7美元价位相较，仍有一小段价差存在。
　　由于DDR2封装制程由传统超薄小型晶粒承载封装（TSOP）转换闸球数组封装（BGA），测试时钟也由400MHz拉高至533Mhz至800MHz间，后段封测成本较DDR高出0.6美元至0.8美元间，因此基于降低成本考量，DDR2供货商除了提高本身晶圆厂良率外，也开始对后段测试时间动刀。
　　据测试设备业者指出，DRAM厂十二吋厂良率提升，如尔必达、Hynix、力晶、茂德、南亚科等，90纳米制程良率都达85%以上，当然会影响到最终测试时间，目前尔必达的DDR2测试时间已降至七百秒至八百秒间，Hynix订单尚未释出，但可能只会有五百秒至六百秒左右，至于力晶及茂德部份，也由五百秒降至三百秒至四百秒间，南亚科技则维持在三百秒出头。
　　DRAM厂减少后段测试秒数，测试厂则希望第一季DRAM厂产能若大量开出，可望弥补空出的测试产能。