突破GSM无线市场射频功率技术 飞思卡尔推出100W输出功率的双级RFIC

　　业界第一款能够为GSM和EDGE网络基站提供100W射频输出功率的双级射频集成电路(RFIC)日前首次在3GSM世界大会的飞思卡尔半导体展台展出。
　　该设备是目前投入商用的功率最高的双级RFIC设备。当由飞思卡尔经济高效的MMG3005N通用放大器驱动(GPA)时，MWE6IC9100N和MW7IC18100N RFIC就构成了全面的100W功率放大器解决方案，用于运行在频率从900到1800 MHz的无线基站。
　　该解决方案的优势在于非常适合GSM和EDGE市场。此前，双级RFIC设备的输出功率不到30W，只能在驱动和预驱动阶段使用。以前的设计需要一个单独的高功率晶体管来实现50dB增益，GSM EDGE发射机一般都需要100W的输出功率。现在，只需要一个GPA和一个RFIC就可满足这种需要。
　　“这些100W的RFIC是无线市场中射频功率技术的突破，”飞思卡尔半导体副总裁兼射频部总经理Gavin P.Wood表示，“它是迄今为止投入商用的功率最高的双级RFIC，它们的封装采用超模压塑料而不是气腔。这些进步中的每项都非常了不起，如果把它们加在一起，则代表着整个行业前进了一大步。”
技术规范：MWE6IC9100N
　　MWE6IC9100N设计用于869至894MHz的蜂窝频率和920至960MHz的GSM波段。对GSM操作来说，本设备可以在28V AB级偏压条件下的1-dB增益压缩（P1dB）上提供至少100W的CW输出功率。增益是33.5dB，功率增加的效率超过了计划运行范围的52%。在EDGE应用的28V漏偏压和50W的平均输出电压中，MWE6IC9100N分别通过400kHz和600kHz上的-63dBc和-81dBc的频谱再生来满足严格的线性要求，其中有2%rms的EVM。
技术规范：MW7IC18100N
　　MW7IC18100N涵盖1805至1880MHz和1930至1990MHz两个波段，能够通过30dB的增益，提供100W CW的P1dB射频输出功率。当运行在28V电压上的GSM环境中时，功率增加的效率超过了计划运行范围的48%。EDGE的性能包括40W的平均功率、-63dBc（400kHz偏移量）和-80dBc（800kHz偏移量）的频谱再生，具有1.5%rms的EVM。
　　RFIC采用经济高效的超模压塑料封装，具有内部匹配性和出色的稳定性。RFIC具有集成的ESD保护，符合RoHs要求，可处理200°C的联结温度。它们还包括集成的静态电流热追综设备，可提供高效的温度补偿。在所有放大器的115°C的操作温度范围内，在5%的浮动范围内保持电流恒定。
　　RFIC结合了自动偏置功能，有助于简化功率放大器系统的设计，使设计人员能够用最小的外部电路设置放大器偏压。此外，设备还可用最少的控制电路，通过自动补偿来设置理想的漏静态电流。
供货情况
　　MWE6IC9100N现已批量生产，产品已上市。