道康宁化合物半导体方案（DCCSS）获得美国海军研究局所授予的一项价值420万美元的合同，为对方开发半导体SiC材料技术。这是继2005年道康宁（Dow Corning）获得360万美元订单的又一次合作，DCCSS得以继续提升其制造SiC衬底的能力，让直径为100mm的SiC衬底质量达到芯片级。道康宁正在利用这笔资金，凭借其在硅制造方面的技能，加速开发SiC衬底市场。
SiC技术在开发新型高频以及更高效率的高功率电子产品中变得越来越重要。SiC最初用在先进的雷达系统、蜂窝电话基站、混合电动车以及电源|稳压器网格网络中。
该公司负责开发新型项目先进技术和风投业务的全球总监James Helwick表示，在项目的第一阶段已经取得了SiC技术的飞快发展；道康宁希望第二阶段及以下阶段能更进一步地提高质量并降低成本，为实现更佳性能、更低能耗以及推出更多低价产品铺平道路。DCCSS首席科学家Mark Loboda表示，原材料不仅仅是SiC技术取得市场成功的唯一因素，进一步的研究和系统开发也是必要的。这个项目为政府、先进学术研究和商业机构三者之间提供了协作和共享资源的理想平台，它们会提高SiC技术的预期值。
在2003年道康宁收购了领先SiC行业的Sterling半导体公司，并从此着手开发SiC技术。这项SiC的研究项目是在道康宁位于Auburn的制造基地进行的，它早在2004年作为DCCSS业务的配套设施就建成了。
