“对于45nm DRAM半间距光刻，193nm水浸润式和双图形曝光工艺成为唯一可使用的技术，而32nm DRAM有待2008年将会有结果。”来自SEMATECH的Michael Lercel在SEMICON Japan 2007开幕第一天举行的ITRS(International Technology Roadmap for Semiconductors)研讨会上表示，他还强调，“当不同的曝光被使用在单一特征图形上时，双图形曝光需要一套非常复杂的参量来定义。”
Michael认为，可变性因素的控制正在成为影响光刻技术发展的最大关注点之一，Gate CD均匀性和线边缘粗糙度的控制，目前还没有解决方案。
同样来自SEMATECH的Raj Jammy在谈前道工艺的发展蓝图时谈到：“向450mm晶圆过渡的研究与开发被推到2009年，High-k和Metal Gate的量产被移回到2008年。”2012-2016年被初步设定为450mm晶圆量产的大致目标。
来自Intel的Alan Allan对“More Moore”和“More than Moore”作了更精确的定义。他认为，尺寸缩小(“More Moore”)包括两方面：从几何学角度指的是为了提高密度、性能和可靠性在晶圆水平和垂直方向上的特征尺寸的继续缩小，以及与此关联的3D结构改善等非几何学工艺技术和新材料的运用来影响晶圆的电性能。而功能的多样化(“More than Moore”)指的是用各种方法给最终用户提供附加价值，不一定要缩小特征尺寸，如从系统组件级向精确的封装级(SiP)或芯片级(SoC)转移的解决方案。
由SEMI和日本电子和信息技术工业协会(JEITA)联合主办的ITRS公开研讨会云集了全球半导体行业的资深专家，共同就半导体产业各个环节在今后几年的技术发展蓝图发表了各自看法。研讨会吸引了超过200位来自日本及海内外的技术专家和工程师。
