据报道，三星电子（Samsung Electronics）与东芝（Toshiba）联合通过了一项关于闪存专利技术互换授权协议，根据这项协议，三星电子和东芝在闪存规格和技术上将完全共享。
目前三星的闪存规格是OneNAND，而东芝的闪存规格是LBA-NAND，三星电子和东芝都认可和接受对方的闪存技术规格，并能自由的生产对方技术规格的闪存芯片。
这项闪存技术互换的授权协议，不仅对三星电子和东芝公司双方有利，而且对于OEM制造而言，也是具有重大意义的，这不仅让OEM制造商的选择面变得宽阔了，而且降低了潜在的风险，无论在是三星电子进行采购，还是在东芝公司进行采购，都能够有多种选择，不用担心因为多元化的芯片采购计划而增加了成本。
根据项协议规定，三星将允许东芝生产和制造自己旗下的OneNAND和Flex-OneNAND闪存芯片，而东芝公司则将以自己的LBA-NAND和mobileLBA-NAND闪存芯片技术作为条件与三星电子进行交换，这些闪存芯片生产技术都是三星电子和东芝的核心技术，但是新的合作协议让双方在闪存芯片制造技术实力上都取得了进一步的增强，从明年开始，三星和东芝都将开始生产协议中涉及到的所有规格闪存芯片，为电子产品制造商提供更好更多的闪存芯片。
东芝公司闪存技术主管Masaki Momodomi表示，三星电子和东芝公司签署了这项闪存技术互换授权协议之后，将会对闪存芯片市场造成极大的冲击，这很可能大幅度带动闪存芯片市场的迅猛发展，当然最重要的还是让用户得到更多的实惠和选择。
三星电子闪存部门高级副总裁Yun-Ho Choi表示，这项协议将充分利用两大企业的闪存技术优势，降低了双方在闪存芯片制造技术上的成本，由于东芝的LBA-NAND芯片在手机等移动设备上具有较大的优势，这将加快三星电子将高性能闪存应用在移动设备上的脚步，而三星电子的OneNAND闪存芯片则在消费电子产品有不错的应用，这也能让东芝公司获得不错的技术支持。
两大闪存芯片制造商在技术上具有极强的互补性，而这一协议的签署必然将改变目前的闪存芯片制造业的格局，并引发新的闪存芯片革命
