安森美半导体推出全新系列的高性能低VCE(sat)双极结晶体管(BJT)，该产品降低了电路总成本，并为各种便携式应用如手机、PDA、媒体播放器、笔记本电脑和数码相机, 提供更高的电源效率和更长的电池寿命。
该BJT为微型的表面贴装器件，具有超低饱和电压(VCE(sat))和高电流增益能力的特性，专为能效控制要求高的低压高速开关应用而设计。应用范围包括，电源管理、电池充电、低压降稳压、振荡器电机、LED背光、电池管理、磁盘驱动器控制和照相机闪光灯。
为减小便携式和无线产品制造商的设计成本压力，安森美半导体把目光转向分立元件，以期获得更多的成本节约。公司采用加强型硅技术和先进封装，开发全新系列的小型、高性价比BJT，该系列BJT所提供的低饱和电压性能与较昂贵的分立解决案的RDS(on)性能相当。
安森美半导体集成电源产品部小信号产品市场经理Wes Reid表示：“采用新型低VCE(sat)BJT，使我们成功帮助一些客户实现每个电路0.1美元的成本节约。安森美半导体工程小组也正加快开发新一代低VCE(sat)BJT器件，可将等效RDS(on)再降低50%，为更多的用户和其应用提供这种成本节约型技术。”
安森美半导体新型VCE(sat)BJT的抗静电放电(ESD)能力很强，有助防止敏感元件受到损坏。优越的电气性能和低温系数可提高电源效率，并最终节约电池电能。通过减少特定应用中的器件数量，这些新型晶体管可进一步缩减材料单(BOM)。如在提供低于1.0V的低导通电压后，就无需典型的电荷泵 。由于它们具有双向阻塞能力，所以也无需阻塞二极管。
该系列BJT采用多种封装，包括SOT-23、SC-88、SC-74、TSOP-6和ChipFET，每10,000件的批量单价为0.07美元至0.16美元。
