英飞凌科技股份公司(Infineon)近日在巴黎国际智能卡工业展(Cartes展)上，宣布与英特尔公司开展战略技术合作，开发面向高密度(HD)SIM卡优化的芯片解决方案。根据合作协议，英飞凌将利用英特尔提供的4MB至64MB存储器打造模块化芯片解决方案。英飞凌将利用在安全硬件方面的突出技术专长，开发基于现有SLE 88系列的32位安全微控制器，以应用于HD SIM卡。英特尔将提供闪存技术、功能和制造工艺。
这种技术合作可使英飞凌的高密度安全微控制器与英特尔的闪存解决方案相结合，以高效集成至HD SIM卡中。首批开发的解决方案的容量将达到64MB，NOR闪存采用65nm和45nm工艺制造。目前，安全微控制器采用适用于智能卡芯片的130纳米先进工艺制造。根据ETSI规范，所有HD SIM卡解决方案的工作电压范围均为1.8V至3.3V。SLE 88系列设计理念允许针对现有SIM卡开发的操作系统软件能够重复利用。
英特尔闪存产品部总经理Glen Hawk表示：“英特尔与英飞凌的共同愿景是，随着移动网络运营商利用多媒体用户接口和运营商贴标方式推出全新应用驱动型服务，HD SIM卡的需求也将大幅增加。英飞凌与英特尔实现整合，将能提供经济实惠的解决方案，为移动网络运营商和SIM卡制造商带来众多创新特性。”
英飞凌科技副总裁兼芯片卡与安全IC业务部总经理Helmut Gassel博士指出：“安全性、高效能和连通性是英飞凌重点关注的三大领域。要想增强电话簿、定位服务和其它基于智能卡网络服务器技术的创新应用，基于硬件的安全性能和几十兆的内存容量是必不可少的。目前，英飞凌正致力提供良好的性能和安全性，支持这些应用。”
英特尔与英飞凌合作开发的HD SIM卡解决方案样品预计将于2008年下半年开始供货，并有望在2009年上半年实现量产。该产品将采用裸晶或芯片卡IC封装形式提供
