运算放大器“LMV651”中增益和相位与输入频率之间的关系
运算放大器“LMP7711”中噪音与输入频率之间的关系。将噪音控制到了数百Hz这一低频率区。
双极CMOS工艺技术“VIP50”中晶体管结构概要。左为NPN型晶体管，右为nMOS晶体管。
美国国家半导体公司（National Semiconductor Corp.，NS）日前发布了6种运算放大器和比较器，声称其精度、耗电量及噪音等特性得到了大幅改善。这是运用最新开发的模拟IC工艺技术“VIP50”的第一个产品群。准备向医疗设备、测量仪器、通信设备和传感器等以性能为重的应用领域推广。该公司已经开始量产上述6种产品，今后准备继续扩充应用VIP50技术的高性能模拟IC产品（发布资料）。
此次推出的运算放大器“LMV651”，同时实现了增大增益带宽和降低耗电量的目标。标准增益带宽为12MHz，耗电电流为115μA。与增益带宽相同的现有产品相比，耗电电流约减少90％；与耗电电流相同的现有产品相比，增益带宽约提高至10倍。1/f噪音也降低到了17nV/√Hz。主要面向温度测定电路与有源滤波器电路等领域。
以高精度为特点的运算放大器“LMP7711”，不仅补偿电压仅为200μV，而且共模抑制比（CMRR）和电源抑制比（PSRR）分别高达95dB和100dB。另外，室温下的输入偏置电流（input bias current）和输入频率为400Hz时的噪音都很低，分别为50fA和7nV/√Hz。主要面向高精度测量仪器、传感器电路和电池驱动设备等领域。
采用SOI底板
VIP50是一种采用SOI底板的双极CMOS工艺（VIP50的说明页面）。据国家半导体公司介绍，“在采用SOI底板的基础上，通过对元件结构进行优化，使性能得到了提高”（MTS产品部经理Carlos Sanchez）。具体来说，通过降低晶体管中的寄生电容与泄漏电路，从而在提高工作速度的同时，降低了耗电量。据悉还具有提高精度的效果。即便使用温度升高以后，泄漏电流与寄生电容的波动也会减小，因此能够降低误差。VIP50在该公司采用SOI底板的工艺技术中，属于继VIP10之后的第2代技术。
除LMV651与LMP7711之外，国家半导体公司此次发布的其他4个品种如下：低噪音运算放大器“LMV791”、低耗电量运算放大器“LPV511”、高精度运算放大器IC“LMP7701”和低耗电比较器“LPV7215”。
