与标准 BCDMOS 体效应技术 (bulk technology) 不同，SMARTIS 技术使用 SOI（绝缘体硅）层，从而实现了极低的漏电量，并显著减少同一模具上电源与数字电路间的串扰，同时，寄生效应的减少也提高了 EMC（电磁兼容）性能。芯片尺寸的减少（门密度为 0.5-um CMOS）使设计具有成本效益且功能强大的高电压电源驱动集成电路成为可能。SMARTIS 技术通过降低用于实现适合的掺杂度与设备绝缘性能所需的较高的能量消耗，简化了集成电路制造流程，从而降低了制造成本。
具有三个高端和三个低端驱动，每个驱动均可将电流提高至1安培。这些驱动通过内部连接形成三个半桥，操作人员可从一个标准串行数据接口对这些驱动分别进行控制。因此，灯泡、电阻器、电容器和感应器等各种负载可以组合在一起。该集成电路的设计还特别支持 H 桥应用，以便驱动直流电机。该操作模式（前进、后退、制动及高阻抗）将由 SPI（串行外设接口）控制。
ATA6826 具有三个高端和三个低端驱动，每个驱动均可将电流提高至1安培。这些驱动通过内部连接形成三个半桥，操作人员可从一个标准串行数据接口对这些驱动分别进行控制。因此，灯泡、电阻器、电容器和感应器等各种负载可以组合在一起。该集成电路的设计还特别支持 H 桥应用，以便驱动直流电机。该操作模式（前进、后退、制动及高阻抗）将由 SPI（串行外设接口）控制。
ATA6826 具有多种保护功能，如过热警告和关机、过载、超电压保护以及短路保护。SPI 输出寄存器设有多个诊断位 (diagnostic bit)，可由微控制器读取。如果电源插脚 (Supply Pin) 上电压不足，那么输出寄存器上将调整为电源故障位，所有输出将中止。如果设置为过热预警位，系统开发商可运用微控制器上的软件程序，减少功率消耗并降低温度。如果温度进一步提高，该集成电路将在某一水平上关闭，从而防止故障的发生。该设备还符合严格的汽车条件要求（阻隔传导干扰、EMC 和 ESD 保护），并能承受 ISO/TR 7637 中规定的瞬变现象。
