ST推出系列基于STripFET技术的低压场效应MOSFET

　　意法半导体日前推出多款基于STripFET技术的低压N沟道场效应MOS晶体管。STripFET技术采用优化布局和最新工艺，提高了栅电荷、栅电阻和输入电容特性，并且降低了导通和开关损耗。这些产品适用对象为超高开关频率，主要面向计算机主板和电信客户。意法半导体此次发布的新产品包括STS12NH3LL、STSJ50NH3LL、STD55NH2LL、STD95NH02L、STL8NH3LL和STL50NH3LL。

　　其中，STS12NH3LL是一款30V器件，额定电流12A。STSJ50NH3LL也是一款30V器件，额定电流50A。这两款产品在10V时典型通态电阻均是0.008Ω，在4.5V时，通态电阻与栅电荷之间实现最佳组合。两个产品都是为电信应用高频直流-直流变换器和笔记本电脑内部电源管理电路而设计。STS12NH3LL采用SO-8封装，STSJ50NH3LL采用PowerSO-8封装。

　　而STD55NH2LL则是一款24V的器件，额定电流55A。10V时，典型通态电阻0.01Ω，4.5V时为0.012Ω。这款器件为高频直流-直流变换器而设计，它采用IPAK (TO-251)通孔封装和表面组装DPAK (TO-252)封装。

　　STD95NH02L也是一款24V的器件，额定电流80A。在5V时，典型通态电阻0.0039Ω，5V时为0.0055Ω。由于栅电荷极低，在10V时，这款器件的典型灵敏系数值为136.5nC*Qg，它采用表面安装的DPAK (TO-252)封装。

　　STL8NH3LL和STL50NH3LL两款器件目前均采用PowerFLATTM封装，改进了芯片-占板尺寸比，降低了封装外廓尺寸和热阻。其中STL8NH3LL是一款30V器件，额定电流8A，在10V时，通态电阻0.012Ω，采用3.3×3.3mm PowerFLATTM封装；STL50NH3LL也是一款30V器件，额定电流27A，在10V时，典型通态电阻0.011Ω，采用6×5mm PowerFLATTM封装。这两款产品都用于隔离型直流-直流变换器的同步整流电路，以及降压变换器的控制场效应晶体管。

　　上述产品现已上市销售，定购30万件，单价区间在0.285到0.485美元之间(仅供参考)。