载流子寿命控制技术加快ST新型场效应MOS管的速度

　　意法半导体日前推出一款0N沟道场效应MOS晶体管——STx9NK60ZD，可用于高强度放电灯、高端镇流器和采用零压和零流开关技术的开关电源。STx9NK60ZD率先采用SuperFREDMesh新型高压工艺，由于这项先进技术在ST原有的基本高压系列产品SuperMESH上实现了一个新载流子寿命控制过程，新器件具备良好动态性能，并优化了体二极管的反向恢复时间(trr)，具有软恢复特性。所有这些都将有助于降低开关损耗。

　　采用SuperFREDMesh制造技术的器件还可以降低通态电阻，执行齐纳二极管栅保护，提高dv/dt处理能力和成本竞争力。这种器件可处理600V电压和高达7A的漏极电流，典型导通电阻RDS(on) 0.85Ω。STF9NK60ZD可以处理最高30W的功率，而STB9NK60ZD和STP9NK60ZD的最高功率为120W。

　　新器件的雪崩测试率为100%，目前所选封装为TO-220、TO-220FP和D2PAK。订购10万件的美国市场单价为0.80美元(仅供参考)。