英特尔65nm工艺成熟 寻获漏电流解决办法

Intel即将推出一系列基于65nm工艺的处理器，这已经是公开的秘密。65nm的工艺使得Intel可以在一片晶圆中制造出更多的处理器，随之而来的是产能、效率以及利润的增长。当然，这种工艺更复杂、需要巨大的投资以提高成品率。　　目前，处理器的典型研发周期是24到32个月，而在十年以前是大约48个月。研发过程的主要任务就是寻找和定位错误。Intel的技术和研发集团专门负责发现错误并对其进行修正——这往往被称为“纳米手术”，因为整个过程都在10nm以内的空间内进行。集团的领导Markus Kuhn指出：Intel现在可以对5nm左右的晶体结构进行操作，相当于对一个原子进行控制。
　　Intel Fab12工厂的经理Steven Megli表示：即使制造环境的湿度稍有不同，也会对成品率造成严重影响。Intel希望在全球的工厂推广65nm工艺，但Steven Megli也承认这几乎不太可能，即使在Fab12，也只有90%的环境参数满足要求。
　　Intel在量产之前不放过任何一个微小错误的努力得到了回报——65nm的工艺仅需20个月就达到了成熟的水平，而180nm用了38个月、130nm用了30个月、90nm用了26个月。
　　Intel可以发现任何微小的错误，但为何没有发现基于90nm工艺的处理器明显的电流泄漏现象？对此，Markus Kuhn表示：Intel很清楚的意识到了这个问题，但这个问题是在研发的过程中引入的。虽然在提升处理器频率时会产生巨大的热量，但之前Intel认为这个问题不太重要。这仅仅到最近这才成为一个令人头疼的问题。在65nm工艺中，电流泄漏已经大大降低。但Markus Kuhn认为业界无法解决氧化栅极所带来的电流泄漏问题，这属于量子机械效应，不可避免。
　　那么，Intel能在这条路走多远呢？Markus Kuhn表示这远无止境。下一个研发的目标是32nm工艺的处理器，并有望在2009年投放市场。随后，就将步入纳米时代，瞄准20nm或更细的工艺。