存储行情天天谈——12月16日

DXI为2,638.62, 上涨33.16 (1.27%)

　　台湾市场：
　　今日的DRAM现货市场, 由于512Mb(64*8)400MHz颗粒的需求继续加温, 加上供应端货源紧缩, 价格持续上扬4.24%至USD4.09, 连带影响256Mb(32M*8)颗粒价格向上调升。主流颗粒256Mb(32M*8)400MHz/333MHz/266MHz的价格调涨至USD2.09/USD/2.25/USD2.072, 交易量并未明显放大。 UTT(ETT)的部份, 在空白模块的需求带动下, 价格急速攀升5.1%至USD2.018, 交易量有限。

　　在NAND FLASH的部分, 由于市场需求减少, 供应端价格持续调降, 不过在8Gb的部分, 由于出现少量需求, 价格小幅反弹, 成交量有限。主流品牌的1Gb/2Gb/4Gb/8Gb与16Gb的价格都分别调降至USD7.49/USD14.67/USD25.85/USD44与USD75.54, 1Gb下跌1.32% 为单日跌幅最高的颗粒。

　　香港市场：
　　NAND Flash部分：今天上午时，形势还不错，HY低容量和Samsung高容量都有所成交。但是下午时，市场就明显安静了下来，和明天是周末也不无关系。Samsung： 2Gb/K9W8Gb/16Gb $14.90-14.95、$45.50、$73.20；HY 1Gb $7.10-7.25有成交。HY 1Gb/2Gb/4Gb今天的价格大概在：$7.10-7.25、$14.30-14.55、$25.80-26.00 Samsung1Gb/2Gb/4Gb/8Gb/16Gb今天的价格大概在: $7.70-7.80、$14.80-15.00、 $25.20-26.10、$41.00-46.00、$73.20-74.0 Micron2Gb：$13.80-13.90。　　DRAM部分：DRAM由于目前库存水位普遍较低，需求不错，价格也有所增加。UTT今天涨到$1.96-2.02。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　深圳市场：
　　NAND Flash部分：今天工厂需求还不错，市场上询盘状况还算活跃，开出的目标价也比较合理，所以有一定的成交。但是感觉货不是很多，报价也比较少。Hynix 1 Gb/2Gb/4Gb:￥59 –61.5 ￥118.5-119.5 ￥212–218 Samsung 1 Gb/2Gb/4Gb/8Gb : ￥63.5-65 ￥120-128 ￥214-221 ￥340-383 Micron2Gb￥115。
　　DRAM部分：DRAM最近涨势明显，但SDRAM就没有那么幸运，甚至还有点下调。