海力士明年量产54纳米DRAM芯片 效率提升40%

　　据赛迪网报道，海力士（Hynix）半导体公司本周日表示，它计划于明年下半年开始量产54纳米的DRAM芯片。

　　据悉，与目前的66纳米工艺相比，54纳米工艺能够将生产效率提高40%。

7月份，三星采用50纳米工艺的1Gb DRAM芯片通过英特尔的验证。