据日经BP社报道，美国Raytex公司开始销售硅晶圆内部缺陷检查装置。将推出从三井金属接管而来的两款机型，均使用激光散射技术。近来，在晶圆供货时形成吸除膜的情况不断增多，该装置可用于该领域的评测。
“BMD (Bulk Micro Defect) Analyzer System MO-441”利用波长为530nm的激光来检查晶圆截面。可以高灵敏度地检测最尖端元件所用硅晶圆的内部吸除中心（Gettering Center，即BMD）。能够在晶圆制造工序初期对折射率不同于硅的微小空隙以及氧析出物等此前难以观察的硅晶体内部的微小缺陷（直径10～30nm）进行评测。
“LSTD (Laser Scattering Tomography Defect) Scanner MO-601”使用红色激光（波长680nm＋530nm）检测整个晶圆表面。可检查硅晶圆元件的活性层——近表层（0～1μm或0～5μm左右）内部的晶体缺陷，辨别出是属于表层异物、表面裂痕还是损伤等状态。可以作为氧化膜耐压及可靠性的非破坏性评估方法，用来保证淬火晶圆的质量。
