由于今年NAND FLASH在存储芯片市场的光芒远远盖过了DRAM，内存厂商纷纷将目光锁定在NAND FLASH身上。内存厂商加大力度投资NAND的事件也屡见不鲜，最近业内又传出英特尔、美光宣布合资兴建NAND厂的消息。
对于明年NAND市场，业内仍然十分看好，不久前拓墣产业研究所的一份报告中还有表格显示：预期2006年的前四大厂商新增的产出量，皆仍有100%以上的成长。在业内纷纷将产能往NAND身上转的时候，我们也不得不为NAND产能因此而过剩担忧。
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在今年NAND FLASH市场形势一片大好的刺激下，已经引发了半导体业的争相投产，除了原本就在NAND FLASH领域执牛耳的三星、东芝外，美光、海力士、力晶及中芯等半导体大厂都将部分DRAM产能转移生产NAND FLASH。 其次Infineon和Hynix/STMicroelectronics等新厂商也积极投产，业内预计其出货量有441%和332%的惊人成长。
因此，当英特尔和美光宣布合资兴建NAND厂之后，引起了部分业者担忧，这两大巨头的联手，将NAND的常能将又提升一个台阶，到时，NAND市场能否保持供需平衡，这是一个大大的问号。
不过，新产能能否在2006年发生效用还很难说，尽管国际大厂的计划已经是扩大NAND产能，但是新产能的量产出产品按照常规推算，要到2007年甚至更晚，因此，这批大厂的扩产言论，对明年NAND FLASH市场行情将不会产生抑制压力，业者大可不必过渡悲观。
但是不可忽视的是，因关抑制压力不在，但是NAND FLASH市场隐忧犹在。业内人士认为，“过量的产能已经并将长期影响NAND的价格。以去年第三季度为例，当ST和Hynix开始合作生产基于0.12微米工艺的512Mb NAND时，NAND的价格马上在2004年7、8月下跌了30%。今年第二季度，美光扩充了产能，再加上第二季度的淡季效应，使NAND的价格又下跌了30%。”
因此，当产能扩大的言论铺天盖地而来的时候，市场稳定势必受到影响，NAND价格有可能出现起伏不定的情况，建议经销商做好心里准备。
