FRAM的高速数据写入和大量可用写周期使得其可以作在办公设备中存储计数或参数、记录各种事项之用。FRAM有100亿个读/写周期，这相当于以每秒写入30次的速率连续写入10年。FRAM还可以在不使用电池的情况下存储数据达10年以上。在如应用于仪表等设备的过程中，富士通FRAM写机制确保即使在临时中断电源时，也可将数据高速写入FRAM，因此不致丢失有用数据。
MB85R2001的配置是256 K字 x 8位；MB85R2002的配置是128K字 x 16位。这两种类型的读访问周期均为100纳秒（ns），读/写周期为150ns。 操作电压为3-3.6V。
富士通微电子（上海）有限公司系统LSI产品市场部副总监郑国威先生表示：“FRAM技术非常适用于要求大量写周期、低功耗和高速数据写入的设备。这些新FRAM改进了功能，能提供更大的存储容量，以满足新型汽车、仪表及其它高级设计的要求。新型FRAM还具备富士通1MbitFRAM的电气特性，只需附加连接一个地址即可轻易移植到更高容量的版本。”
新型2Mbit FRAM产品具有与当前生产的富士通1Mbit FRAM产品（MB85R1001和MB85R1002）相同的电气特性和TSOP-48数据包。只需附加连接一个地址，即可移植到2Mbit产品上。因此，在同一个印刷电路板上，根据所需的存储容量，我们可以选择使用1Mbit或2Mbit的FRAM。
新型FRAM现提供48针TSOP，价格可具体咨询。
