根据韩国经济日报引述Hynix未具名经理人报导，在消费电子制造商需求攀升下，Hynix明年将提高NAND闪存产量比重，由目前的30%提高至40%。 报导中表示，Hynix将降低动态随机存取内存(DRAM)产量，以增加NAND闪存产量。 根据世界半导体贸易统计协会 (WorldSemiconductor Trade Statistics)，明年全球NAND闪存销售将攀升28%，至130亿美元。相较之下，DRAM料衰退1%，至260亿美元。
