半导体大厂英特尔（Intel）Flash事业群技术长Ed Doller6日表示，英特尔将与意法半导体（STMicroelectronics）于2008年时共同挺进45纳米工艺技术，一同推出手机用内存平台；市场分析师认为，英特尔与意法此举，摆明是直接点名三星电子（Samsung Electronics）而来，企图与其在未来Flash市场上一较长短。
观察目前全球NOR型Flash市场规模排名，英特尔仍坐拥龙头地位，市场占有率大约还维持在28％左右，至于意法半导体是全球NOR型Flash第三大供货商，市场占有率同样也高达15％左右；而多数市场分析师从未想过这2大供货商，竟会站在同一阵线上，共同开发可兼容性MCP内存平台。
此次英特尔与意法携手合作，初期先行采用各自90纳米工艺技术以及产能，发展可兼容性的MCP内存平台，据了解，这样的合作关系，将更进一步推演到65纳米，甚至是45纳米阶段。
Ed Doller表示，就目前开发进度来看，英特尔将于2008年开始采用45纳米工艺技术，用于制造更高规格的内存产品；意法半导体内存事业群副总裁Giuseppe Crisenza也表示，意法的工艺技术将会与英特尔同步，亦即到2008年，意法也将开始采用45纳米工艺技术，生产MCP芯片用内存产品。
就目前开发进度来看，英特尔与意法双方的65纳米工艺技术所开发出的产品，将会在2006年初进入销售阶段，不过虽说这个全新可共同兼容内存平台，开发成员仅限于英特尔及意法半导体，但由于英特尔及意法均希望有更多厂商加入，因此并不排斥其余半导体大厂一同参与，只不过到目前为止，还是会先以意法及英特尔为主。
英特尔指出，早在1年半前，英特尔与意法便已共同携手开始研发，未来这样的合作模式将会持续下去。
