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ST发布一款射频合成器集成嵌入式压控振荡器

  意法半导体今天发布了一款带有嵌入式压控振荡器(VCO)的多频带射频合成器STW81100。ST的设计人员利用该公司丰富的射频设计经验和世界一流的BICMOS硅锗(SiGe)制造工艺,成功开发出了能够大幅减少材料成本和占板面积更小的集成电路,新产品是ST开发的内建PLL(锁相环)与VCO的高度集成射频解决方案的第一款产品。

  STW81100是一款带有VCO的多频带集成射频合成器,适用于无线通讯与测试设备系统。STW81100具有高性能、高集成度、低功耗、多频带功能等特性,是一款将PLL与VCO集成在一起的低成本单片解决方案,而过去的PLL和VCO方案则需要两个分立的芯片,导致元器件不仅尺寸大而且成本昂贵。另外, 作为单片解决方案,STW8110提高了产品的可靠性,缩小了占板面积,减少了外部分立元器件的数量,从而降低了设备制造商的间接成本,因此,总地来说,新产品是一款极具成本效益的解决方案。

  STW81100这款产品包括一个整数N频率合成器和两个完整的内置VCO,相位噪声极低,噪声基准为 -153dBc/Hz。宽频带VCO(中心频率校正覆盖32个子频带),结合多重输出选项(例如: 
直接输出以及2分频或4分频输出),使合成器能够覆盖三个频带:820MHz到1100MHz、1640MHz到2200MHz和3280MHz到4400MHz。STW81100还能以IP单元形式供货,从而进一步拓展了ST的RF ASIC知识产权(IP)组合。

  ST无线基础设施部的射频技术营销经理Guillaume Pertinant表示:"目前有两大问题引起设备制造商的焦虑:更低的材料成本与更小的占板面积,ST拥有实力雄厚的射频设计能力,并在手机和电信基础设施市场上居领先水平,我们已经把这两种优势转化为一系列出色的产品。"

  在无线基础设施市场上,ST最近发布了STW51000高性能基带调制解调器数字系统级芯片(SoC);以及带有嵌入式DRAM的STW21000高度集成的可重配置微控制器。除了数字系统级芯片外,ST还在这个市场斥巨资研发收发器芯片的关键技术。ST是市场上为数不多的几家有能力提供完整信号链解决方案的半导体公司之一,通过提供射频解决方案加强无线基础设施的产品组合,ST进入一步巩固了其强大的市场地位。

  STW81100采用28引脚的裸露型QFN无铅封装,现可供应样片与评估板,预计2005年中开始量产,采购10,000颗芯片时单价3美元。

  

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